Рисунок 1 Полупроводниковый детектор поверхностно-барьерного типа, показан в конфигурации для детектирования высокоэнергетичных, прямо рассеянных электронов. Прямого пучок обнаруживается небольшим круглым детектором на оптической оси микроскопа окруженный концентрическими широкоугольным кольцевым детекторо, который детектирует любые рассеянные электроны.