НИТУ 'МИСиС' Минобрнауки РФ TOKYO BOEKI База данных по материаловедению. Материалы XXI века
База данных по материаловедению. Материалы XXI века

4.1 Какие неупругие процессы происходят в ПЭМ?

Рисунок 4.1 показывает сечений для наиболее важных неупругих процессов. Как можете видеть из рисунка 4.1, упругое и один из неупругих (возбуждение плазмонов) процессы являются наиболее вероятными событиями и в совокупности на них приходится почти все полное сечение рассеяния. Эти сечения могут меняться на несколько порядков, и один этот факт должен дать некоторое представление относительно вероятности генерации сигнала. Конкретные сечения рассеяния более подробно будут обсуждаться при описании каждого отдельного процесса рассеяния.

Рисунок 4.1 Сечения неупругого рассеяния различных процессов в Al в зависимости от энергии падающих электронов, предполагая мало-угловое рассеяние (θ∼0ᵒ); Плазмонов (P),ионизации K- и L-оболочек (K, L), генерация вторичных электронов (SE). Для сравнения на рисунке также приведено сечение рассеяния для упругого рассеяния. Значения относительно нечувствительны к энергии пучка.


Процессы потери энергии электронов являются полезными и вредными одновременно. Например, потери энергии электронов вызывает появление Кикучи линий, возникающих в дифракционной картине и являющихся чрезвычайно полезными. С другой стороны, некоторые из тех же процессов потерь энергии электронов вызывают диффузное рассеяние, которое снижает полезный сигнал во всех дифракционных картинах и изображениях. Если ваш образец достаточно толстый, потери энергии электронов могут скрыть всю полезную информацию, однако, с помощью специальных фильтров эти электроны могут отфильтрованы. Эта фильтрация улучшает качество как изображения, так и дифракционной картины, позволяя исследовать образцы с гораздо большими толщинами.