НИТУ 'МИСиС' Минобрнауки РФ TOKYO BOEKI База данных по материаловедению. Материалы XXI века
База данных по материаловедению. Материалы XXI века

Лекция 4. Сканирование образца электронным пучком и формирование изображения

Увеличение в РЭМ

Увеличение в РЭМ равно отношению размера изображения на экране к размеру растра на образце в данный момент времени (рисунок 52). Увеличение контролируется сканирующими катушками (scan coils). Когда оператор решает поднять увеличение, он уменьшает силу тока в обмотках сканирующих катушек, электронный пучок при этом пробегает меньшую дистанцию по поверхности образца. Важно, что эта дистанция зависит от рабочего расстояния (WD) – расстояния от объективной линзы до образца. В современных микроскопах этот факт учитывается и компенсируется. Минимальное увеличение определяется рабочим расстоянием объективной линзы – х10. Максимальное – ограничивается разрешающей способностью микроскопа (диаметром пучка электронов и областью взаимодействия пучка с образцом) – до х1 000 000. Увеличение в РЭМ зависит только от тока отклоняющих катушек

Рисунок 52 – Понятие увеличения в РЭМ

Контраст. Механизмы и природа формирования контрастов.

Контраст С=(Sмакс-Sмин)/Sмакс – отношение разности максимальной и минимальной интенсивности к максимальной для любых двух точек растра. Хотя есть много различных определений контраста – суть одна - разница в яркости различных участков изображения.

Контраст несет в себе информацию о сигнале, связанную со свойствами образца, которые мы хотим определить.

Существует 2 основных механизма формирования контраста: контраст, зависящий от атомного номера (или контраст от состава) и топографический контраст.