2.12 Электронная дифракция
Мы уже упоминали несколько раз, что ПЭМ уникально подходит, для того, чтобы воспользоваться рассеянием электронов, поскольку он может сформировать картину распределение рассеянных электронов, которые мы обсудим в части далее более детально. Чтобы полностью понять, как дифракционная картина формируется в ПЭМ, вы должны рассмотреть, как электронные линз работу, а затем показать, как мы объединяем несколько линз для создания системы ПЭМ изображений. Но прежде чем эти понятия будут объяснены, стоит просто показать некоторые из многих видов дифракционных картин, который могут быть сформированы в ПЭМ. На данном этапе все, что вам нужно сделать, это представить, что фотографическая пленка помещается непосредственно после тонкого образца и электроны, рассеянные образцом как показано на рисунке 2.1Б падают непосредственно на пленку. В этих условиях, тем больше угол рассеяния, тем дальше от центра электроны попадают на пленку.
Даже с помощью этого простого описания, можно понять некоторые основные черты дифракционных картин. На рисунке 2.13 представлены нескольких видов дифракционных картин, которые часто получают в ПЭМ. Вы видите, что несколько пунктов мы уже составили около рассеяния интуитивно понятным в шаблонах. Во-первых, наибольшая интенсивность находится в прямом пучке, в центре картины, которая означает, что большинство электронов, по всей видимости, проходило прямо через образец. Во-вторых, интенсивность рассеянных электронов уменьшается с ростом θ (увеличением расстояния от прямого луча), который отражает уменьшение сечения рассеяния с ростом θ.
В-третьих, интенсивность рассеяния сильно зависит от структуры образца.
