10. Приготовление образцов для ПЭМ
Страница 20 из 22
Литография
Новейшие технологии микроэлектроники используются также для создания образцов ПЭМ. Примером такого внедрения является литография, позволяющая делать линии толщиной менее 100нм. Метод проиллюстрирован на рис. 10.17. Материал по обе стороны от линии стравливается, оставляя тонкую пластину, которая должна быть прозрачна для ПЭМ.
Рисунок 10.17 Применение литографии для подготовки образцов в ПЭМ
Рисунок 10.18 Метод литографии, применяемый для утонения многослойных образцов: неутоненный образец показан с сеткой Si3N4 барьерных слоев. Травление идет между барьерными слоями.
