10. Приготовление образцов для ПЭМ

• | Печать |
•  E-mail

Селективное химическое травление

Принцип такой же как и в литографии: удаляется часть образца, так чтобы оставшаяся часть была прозрачна для электронов, рисунок 10.18. Одна из проблем – необходимо чтобы на конечном этапе образец можно было взять пинцетом, т.е. он должен иметь определенную устойчивость. Метод использовался для соединений А3В5, таких как Al1- xGaxAs/GaAs, где Al1-xGaxAs служит стопором для травления GaAs, и для Si, где травление останавливается перед слоем, имплантированным бором.

Сфокусмрованный ионный пучок (FIB)

Сфокусированный ионный пучок (FIB) как инструмент становится все более доступным. Приборы со сфокусированным ионным пучком можно представить себе как СЭМ в котором установлена приставка ионного травления.

Одна ионная пушка позволяет получить хорошо контролируемый пучок из ионов Ga (а не Ar, используемых в PIPS). Схема FIB приведена на рисунке 10.19. Различныt этапs процесса подготовки показаны на рисунке 10.20. Площадку в (A) покрывают Pt. Два крестика ставят на образце с помощью ионного пучка для того, чтобы отметить интересующую нас область, а другую полосу Pt наносят между ними (B). Далее, две лестницы вырезаются по бокам, чтобы оставить тонкую стенку, как показано на (C) и (D). В (E) «стенка» была подрезана с двух сторон таким образом, чтобы он поддерживается только на самом верху. Последний шаг (F) является ионно-полировка тонкой стенки, пока она не станет действительно тонким образцом для ПЭМ и, далее прикрепляется к зонду, использующий для извлечения образца статическое электричество, и помещается на подложку (как правило, углеродную пленку).