НИТУ 'МИСиС' Минобрнауки РФ TOKYO BOEKI База данных по материаловедению. Материалы XXI века
База данных по материаловедению. Материалы XXI века

3.6 Когерентность Резерфордовских рассеянных электронов

До сих пор мы рассматривали электроны как частицы, далее мы рассмотрим волновую природу рассеянных электронов. Высоко-угловое Резерфордовское рассеянние электронов некогерентно: то есть, это означает, что нет фазовых соотношения между ними. Такое некогерентное рассеяние имеет важное значение в двух отношениях. Во-первых, высокие углы рассеяния вперед могут быть использованы для формирования исключительно высокого разрешения изображений кристаллических образцов, в котором контраст изображения связан исключительно со значением Z, а не ориентировкой образца (как в случае с низко-угловой когерентной дифракцией). Такой Z-контраста изображения, обеспечивает атомное разрешение элементного анализа, в дополнение к показу с атомным разрешением на границах между регионами с различными Z. По сравнению с другими механизмов формирования контраста, изображения с Z-контрастом являются относительно новым методом микроскопии, но, особенно с учетом наличия Cs корректоров, он последовательно занимал рекорд по самым высоким разрешением изображения и анализа в ПЭМ (например, Варела и соавт. 2005 г.) и уже начинает революцию в нашем понимании химии и структуры на атомном уровне кристаллических дефектов.


Рисунок 3.3 Изменение логарифма экранированного релятивистского Резерфордовского сечения от угла рассеяния из уравнения 3.7, описывающие изменение сечения рассеяния для электронов, рассеянных на углы больше θ (Б) для различных элементов при 100 кэВ и (А) для рассеяния на Cu при различных ускоряющих напряжениях.


Второй (но гораздо менее важно), больше-угловые обратно-рассеяные электроны (ОЭ) могут быть использованы для формирования изображения поверхности образца, в котором контраст формируется не только из-за различий в Z, но и из-за изменений в топографии поверхности образца.
Изображения в обратно-рассеяных электронах редко используются в ПЭМ, потому что сигнал обратно-рассеяных электронов мал. Если вернуться назад и посмотреть на моделирование методом Монте-Карло на рисунке 2.4 можно увидеть, что из 103 электронов, падающих в Cu только три (0,3%) были обратно рассеяны. Таким образом, качество этого сигнала очень плохое, и изображения получается достаточно шумным, и имеет низкую контрастность. Контраст гораздо лучше для массивных образцов в сканирующей микроскопии, где доля обратно-рассеяных электронов достигает гораздо больших значений (например, около 30% для Cu) и это обеспечивает стабильную, высокую контрастность изображения, в котором можно различать сигналы от соседних элементов периодической таблицы.

Рисунок 3.4 Изменение длины свободного пробега упругого рассеяния для четырех различных элементов в зависимости от энергии пучка, рассчитаны исходя из экранированного, релятивистского Резерфордовского сечения.