НИТУ 'МИСиС' Минобрнауки РФ TOKYO BOEKI База данных по материаловедению. Материалы XXI века
База данных по материаловедению. Материалы XXI века

3.9 Структурный фактор f(θ)

Следующий шаг в рассмотрении рассеяния электронов является переход от рассмотрения рассеяния индивидуальным атомом (т.е. (f(θ)), к рассеянию атомов сложенных вместе в регулярную кристаллическую структуру. Мы можем ввести структурный фактор F(θ), который является мерой амплитуды рассеянного элементарной ячейкой кристаллической структуры. Поскольку F(θ) – амплитуда, как и f(θ), он также имеет размерность длины. Мы можем определить F(θ) как сумму f(θ) от всех i атомов в элементарной ячейке (с атомными координатами xi, yi, zi), умноженную на множитель фазы. Фазовый множитель учитывает разницу в фазе между волнами, рассеянными от атомов, расположенных на разных, но параллельных атомных плоскостях с одинаковыми индексами Миллера (hkl). Угол рассеяния θ - угол между падающим и рассеянным электронными лучами. Таким образом, мы можем записать:

(3.17)

Амплитуда (а, следовательно, ее квадрат - интенсивность) рассеяния зависит от типа атома (f(θ)), положение атома в ячейке (x, y, z), а также конкретных атомных плоскостей (hkl) из которых состоит кристаллическая решетка. Это уравнение предсказывает, что при определенных обстоятельствах амплитуда рассеяния равна нулю. Такое поведение является особенностью процесса рассеяния, является основой для определения кристаллической структуры в ПЭМ.