10. Приготовление образцов для ПЭМ
Страница 11 из 22
Рисунок 10.10 Светлопольное изображение CdTe демонстрирующее (A) дефекты (темные пятна) в образце, утоненном ионами Ar и (B) неповрежденный кристалл, утоненный с помощью реактивного распыления ионами йода. Остаточные дефекты (B) были сформированы в процессе роста кристалла CdTe.